多晶硅還原電極的還原法生產(chǎn)工藝
多晶硅還原電極還原法,生產(chǎn)過(guò)程中工藝氣體被硅芯電極加熱至110(TC左右,使三氯氫硅(SiHCl3)與氫氣(H2)反應(yīng)生成多晶硅并沉積在硅芯電極表面,形成硅棒。硅芯電極的工作電壓在15,000V左右,在如此高溫高壓的條件下,對(duì)硅芯電極的要求非常高。目前采用的硅芯電極主要包括電極體、加熱石墨頭硅芯、電極座,其中電極座與電極體之間用絕緣套簡(jiǎn)進(jìn)行絕緣,絕緣套簡(jiǎn)的成分為聚四氟乙烯。由于還原爐內(nèi)溫度非常高,雖然通過(guò)設(shè)備底盤(pán)對(duì)電極座進(jìn)行冷卻,但聚四氟乙烯絕緣體所處環(huán)境的溫度仍然很高,在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后容易失效,造成電極座與電極體之間擊穿,導(dǎo)致生產(chǎn)事故。
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